[实用新型]基片处理装置有效
| 申请号： | 201821724128.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN209000877U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 田中幸二;池田贵志;益富裕之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。 | ||
| 搜索关键词： | 处理液供给 喷嘴 基片处理装置 基片处理 处理液 调压板 蚀刻 本实用新型 划分区域 排出口 喷嘴排 排出 流通 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：基片处理槽；处理液供给喷嘴，其设置在所述基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液；和调压板，其设置在所述处理液供给喷嘴与所述基片处理槽内的基片之间，具有使所述处理液流通的多个孔，调节从所述处理液供给喷嘴排出的所述处理液的流入压力，所述调压板具有从所述处理液供给喷嘴侧的面突出的将所述处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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