[实用新型]半导体处理腔室有效
| 申请号： | 201821726698.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN209447761U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | S·朴;T·Q·特兰;N·卡尔宁;D·卢博米尔斯基;A·德瓦拉孔达 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 基板支撑件 等离子体屏蔽件 处理腔室 半导体处理腔室 耦合 喷淋头 电源 等离子体 等离子体泄漏 偏压等离子体 处理区域 处理系统 电气接地 电气耦合 可用 过滤 穿过 制定 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理腔室，其特征在于，所述半导体处理腔室包含：喷淋头；基板支撑件；电源，与所述基板支撑件电气耦合并且经构造以向所述基板支撑件提供电力来在所述喷淋头与所述基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体；以及等离子体屏蔽件，与所述基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过所述等离子体屏蔽件的等离子体泄漏，其中所述等离子体屏蔽件与电气接地耦合。
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