[实用新型]一种过压保护芯片的版图结构

摘要

本实用新型公开了一种过压保护芯片的版图结构，包括第一版图区域，第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域。本实用新型的一种过压保护芯片的版图结构在充分考虑模块内，模块间和通道间的匹配设计和相互干扰，数字电路模块对模拟电路模块的影响以及温度分布对各模块影响的前提下，通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计，更好的实现了过压保护芯片的电路功能，使得设计得到的芯片功耗低，内阻小，产生的热量少，从而有效地节省了电路板的空间和成本，延长了系统的使用寿命。

主权项

1.一种过压保护芯片的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域位于版图的下半部分，所述第二版图区域位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域位于版图的中间部分，所述第四版图区域位于版图的右上部分，所述第五版图区域位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域位于版图的左上部分，第一版图区域与第二、三、四、六版图区域相连，第二版图区域与第一、三、四、五版图区域相连，第三版图区域与第一、二、四、五、六版图区域相连，第四版图区域与第一、二、三、五、六版图区域相连，第五版图区域与第二、三、四、六版图区域相连，第六版图区域与第一、三、四、五版图区域相连；所述第一版图区域为POWERMOS版图区，用于产生输出信号；所述第二版图区域为电荷泵版图区，用于产生N型POWERMOS管的开启电压，对该模块版图采用N型阱内环接触加P型接地阱双环隔离噪声的措施；所述第三版图区域为高低压转换接口电路版图区，采用P型阱环隔离同时避免高压金属线在场区产生的反型区；所述第四版图区域为基准电路版图区，用于产生其他各区域需要的电压、电流信号，采用P型接地阱环隔离，以及接地的屏蔽线围绕在基准信号线两边以避免其被其他信号干扰；所述第五版图区域为使能，修调电路版图区，用于产生使能信号，以及放置修调电阻；所述第六版图区域为OVLO电路版图区，用于判断输入电压是否超过设定电压。/n