[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821761898.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN208835056U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括衬底、绝缘层、存储节点接触塞、第一支撑结构层、牺牲层和第二支撑结构层；所述绝缘层设置于所述衬底上；所述存储节点接触塞设置于所述绝缘层中，并与所述衬底相接；所述第一支撑结构层设置于所述绝缘层上，在所述第一支撑结构层中开设有第一孔，所述存储节点接触塞暴露于所述第一孔；所述牺牲层设置于所述第一孔中；所述第二支撑结构层设置于所述第一支撑结构层上，在所述第二支撑结构层中开设有第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔。本实用新型一实施方式的半导体结构，可用作制备电容器结构的中间结构，通过牺牲层的设置，能够降低高深宽比结构的刻蚀难度，解决刻蚀不足导致的高电阻阻抗问题。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑结构层 绝缘层 牺牲层 存储节点接触塞 半导体结构 衬底 本实用新型 刻蚀 制备电容器 高深宽比 中间结构 阻抗问题 高电阻 暴露 可用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；绝缘层，设置于所述衬底上；存储节点接触塞，设置于所述绝缘层中，并与所述衬底相接；第一支撑结构层，设置于所述绝缘层上，在所述第一支撑结构层中开设有第一孔，所述存储节点接触塞暴露于所述第一孔；牺牲层，设置于所述第一孔中并覆盖所述存储节点接触塞；以及第二支撑结构层，设置于所述第一支撑结构层上，在所述第二支撑结构层中开设有第二孔，所述牺牲层暴露于所述第二孔。
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