[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及显示装置

摘要

本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置,该薄膜晶体管阵列基板包括基板；形成于基板上的底栅极；形成于底栅极和基板上的第一绝缘层；形成于第一绝缘层上且位于底栅极上方的有源层；形成于有源层两侧的源极以及漏极；形成于第一绝缘层、有源层、源极以及漏极上的第二绝缘层；形成于第二绝缘层上且位于有源层上方的顶栅极；其中，有源层包括氢化非晶硅层、掺杂非晶硅层以及位于氢化非晶硅层与掺杂非晶硅层之间的氯化非晶硅层。本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，在提升开态电流的同时降低了漏电流，提高了像素开关的基本性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板(10)；形成于所述基板(10)上的底栅极(11)；形成于所述底栅极(11)和所述基板(10)上的第一绝缘层(12)；形成于所述第一绝缘层(12)上且位于所述底栅极(11)上方的有源层(13)；形成于所述有源层(13)两侧的源极(14a)以及漏极(14b)；形成于所述第一绝缘层(12)、所述有源层(13)、所述源极(14a)以及所述漏极(14b)上的第二绝缘层(15)；形成于所述第二绝缘层(15)上且位于所述有源层(13)上方的顶栅极(181)；其中，所述有源层(13)包括氢化非晶硅层(131)、掺杂非晶硅层(133)以及位于所述氢化非晶硅层(131)与所述掺杂非晶硅层(133)之间的氯化非晶硅层(132)。