[实用新型]晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构有效
| 申请号： | 201821796498.7 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN209119095U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构。晶圆堆叠结构包括：第一晶圆、第一下重布线层、第一上重布线层、第二晶圆、第二下重布线层、第二上重布线层。其中，第二晶圆直接键合于第一上重布线层，且第二晶圆包括底部直接接触第一上重布线层的硅通孔，该硅通孔制作于第二晶圆与第一上重布线层键合之后。第一晶圆与第二晶圆中分别设置有两个连接相同信号的焊盘，在第一晶圆和第二晶圆中这两个焊盘的位置互换。本公开提供的晶圆堆叠结构可以提高制造堆叠芯片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 重布线层 晶圆堆叠 芯片堆叠结构 硅通孔 焊盘 堆叠结构 堆叠芯片 位置互换 直接键合 良品率 键合 种晶 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆堆叠结构，其特征在于，包括：第一晶圆，上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘和连接第二信号的第二焊盘；第一下重布线层，位于所述第一晶圆之上，包括电连接于所述第一焊盘的第一布线和电连接于所述第二焊盘的第二布线；第一上重布线层，位于所述第一下重布线层之上，包括电连接于所述第一布线的第三布线和电连接于所述第二布线的第四布线，所述第三布线包括在水平方向上相对靠近所述第二焊盘的第一引线垫，所述第四布线包括在水平方向上相对靠近所述第一焊盘的第二引线垫；第二晶圆，底面贴合于所述第一上重布线层，设置有位置对应于所述第二焊盘且设置为连接所述第一信号的第三焊盘、位置对应于所述第一焊盘且设置为连接所述第二信号的第四焊盘、底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔、底部电连接于所述第二引线垫的第二硅通孔。
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