[实用新型]一种宽温度范围带隙基准电压电路有效
| 申请号： | 201821797571.2 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN209514446U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张启东 | 申请（专利权）人： | 西安矽源半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市高新区科*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种宽温度范围带隙基准电压电路；所述电路包括自偏置模块、带隙基准核心模块、电压生成模块；所述自偏置模块产生初级基准电压；通过基极电流校正与初级基准电压产生补偿前的基准电压；产生低温漂带隙基准电压。所述电压生成模块产生最终的基准电压；所述电压生成模块通过在电源和地的通路上通过串联修调电路调节输出电压；所述修调电路通过传输门控制微调电阻的接入状态。本实用新型的优点是：实现了超高精度，超低温度漂移系数的宽温度范围带隙基准电压源电路，可为对基准电压需求较高的电路应用提供高稳定性的基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基准电压 电压生成 带隙基准电压电路 本实用新型 自偏置 电路 带隙基准电压源电路 带隙基准电压 基准电压产生 超低温 带隙基准 电路调节 电路应用 高稳定性 核心模块 基极电流 接入状态 漂移系数 输出电压 微调电阻 传输门 低温漂 校正 串联 电源 | ||
【主权项】：
1.一种宽温度范围带隙基准电压电路，其特征在于，所述宽温度范围带隙基准电压电路包括：自偏置模块、带隙基准核心模块、电压生成模块；所述自偏置模块提供偏置电压和偏置电流；所述自偏置模块在电源上电过程中作为自启动电路；所述带隙基准核心模块基于Brokaw带隙单元组成，产生初级基准电压；所述带隙基准模块包括基极电流校正电阻；通过在Brokaw带隙单元中三极管对的基极中加入基极电流校正电阻，进行校正运算后产生补偿前的基准电压；所述电压生成模块产生最终的基准电压；所述电压生成模块通过在电源和地的通路上通过串联修调电路调节输出电压；所述修调电路通过传输门控制微调电阻的接入状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安矽源半导体有限公司，未经西安矽源半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821797571.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
