[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201821811894.2 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN208904024U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 毛焜;雷天飞 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分场氧化层的上表面；栅氧化层，位于多晶硅栅极的上表面及部分场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；阴极区域，位于第二掺杂类型的衬底材料层内；第一掺杂类型的体区，位于第二掺杂类型的衬底材料层内。本实用新型的半导体器件结构不会出现栓锁效应，器件更容易关断，且不会影响其他器件的集成；同时，本实用新型的半导体器件结构具有成本低，制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 衬底材料层 上表面 半导体器件结构 本实用新型 场氧化层 多晶硅栅极 栅氧化层 衬底 栓锁效应 阳极区域 阴极区域 制备工艺 关断 体区 阱区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：第一掺杂类型的衬底；场氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底的上表面；多晶硅栅极，位于部分所述场氧化层的上表面；栅氧化层，位于所述多晶硅栅极的上表面及部分所述场氧化层的上表面；第二掺杂类型的衬底材料层，位于所述栅氧化层的上表面；第二掺杂类型的第一阱区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内；阳极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区的一侧；所述阳极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第一掺杂区域及第二掺杂类型的第一掺杂区域；阴极区域，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第一阱区背离所述阳极区域的一侧；所述阴极区域沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的第二掺杂区域及第二掺杂类型的第二掺杂区域；第一掺杂类型的体区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述阴极区域与所述第二掺杂类型的第一阱区之间。
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