[实用新型]半导体设备有效
| 申请号： | 201821819777.0 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN209401595U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括反应腔体以及干泵，其中所述反应腔体与所述干泵之间通过第一管道连接，所述第一管道上设置有一隔离阀门，所述干泵控制所述隔离阀门的开启和关闭。本实用新型提供的半导体设备，当干泵停止运行时，可以即时关闭所述隔离阀门，有效避免了管道生成物和干泵抽取出的残余气体回灌至反应腔体中，确保了反应腔体中晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 干泵 半导体设备 反应腔体 隔离阀门 本实用新型 第一管道 残余气体 停止运行 回灌 晶圆 良率 取出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括反应腔体以及干泵，其中，所述反应腔体与所述干泵之间通过第一管道连接，所述第一管道上设置有一隔离阀门，所述干泵控制所述隔离阀门的开启和关闭；以及，当所述干泵运行时，所述干泵经由所述第一管道抽取所述反应腔体中的残余气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
