[实用新型]半导体器件和焊盘结构有效
| 申请号： | 201821858974.3 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN209119081U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种焊盘结构和半导体器件，属于半导体技术领域。该焊盘结构包括基底、第一电介质层、凹槽、焊接焊盘和测试焊盘，其中，第一电介质层设于所述基底上；凹槽设于所述第一电介质层远离所述基底的表面；焊接焊盘和测试焊盘一个设于所述第一电介质层远离所述基底的表面，另一个设于所述凹槽的槽底。该焊盘结构和半导体器件能够提高半导体器件的良率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电介质层 焊盘结构 基底 测试焊盘 焊接焊盘 半导体技术领域 良率 | ||
【主权项】：
1.一种焊盘结构，其特征在于，包括：基底；第一电介质层，设于所述基底上；凹槽，设于所述第一电介质层远离所述基底的表面；焊接焊盘和测试焊盘，一个设于所述第一电介质层远离所述基底的表面，另一个设于所述凹槽的槽底。
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