[实用新型]一种提高单晶炉炉压的结构有效
| 申请号： | 201821875454.3 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN209128589U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 侯明超 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种提高单晶炉炉压的结构，该结构设于单晶炉主管道与真空泵之间，包括第一变径三通、第二变径三通、第一调节阀、第二调节阀、第三调节阀和连接管路，第一调节阀直径与主管道管径相同，连接管路管径小于主管道管径，主管道一端通过第一变径三通与第一调节阀第一端连接，第一变径三通小管径端与第二调节阀一端连接，第二调节阀另一端通过连接管路与第三调节阀一端连接，第一调节阀第二端通过第二变径三通与真空泵连接，第三调节阀另一端与第二变径三通小管径端连接。该结构通过在单晶炉主管道与真空泵之间设置调节阀，并在并联两管径更小的调节阀，控制单晶炉炉压，使单晶炉炉压上限更高，提高重掺硅单晶生长的掺杂效率。 | ||
| 搜索关键词： | 变径三通 单晶炉 主管道 管径 炉压 连接管路 一端连接 小管径 真空泵 本实用新型 硅单晶生长 真空泵连接 第一端 并联 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种提高单晶炉炉压的结构，其特征在于：所述提高单晶炉炉压的结构设于单晶炉的主管道与真空泵之间，包括第一变径三通、第二变径三通、第一调节阀、第二调节阀、第三调节阀和连接管路，所述第一调节阀的直径与所述主管道的管径相同，所述连接管路的管径小于所述主管道的管径，所述主管道的一端通过所述第一变径三通与所述第一调节阀的第一端连接，所述第一变径三通的小管径端与所述第二调节阀的一端连接，所述第二调节阀的另一端通过所述连接管路与所述第三调节阀的一端连接，所述第一调节阀的第二端通过所述第二变径三通与所述真空泵连接，所述第三调节阀的另一端与所述第二变径三通的小管径端连接。
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