[实用新型]具有电容器的存储器件有效

专利信息
申请号: 201821882841.X 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN208923137U 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 鲍锡飞 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及集成电路领域,提供了一种具有电容器的存储器件,所述存储器件包括在基底上形成的多个电容接触以及第一支撑层,所述多个电容接触与所述多个电容接触区一一对应电连接,所述第一支撑层覆盖所述多个电容接触区之间的所述基底的顶表面,每个电容接触包括在基底上依次叠加的第一电容接触和第二电容接触,第一支撑层的顶表面高于第一电容接触的顶表面且低于第二电容接触的顶表面。在基底上对应于电容接触区形成设置电容器的电容孔时,即使在未能蚀刻完全第一支撑层的情形下,由于第二电容接触凸出于第一支撑层,电容器的下电极层也易与第二电容接触形成良好的电接触,有利于提高存储器件的良率。
搜索关键词: 电容 支撑层 电容器 存储器件 多个电容 顶表面 基底 接触区 集成电路领域 蚀刻 本实用新型 下电极层 依次叠加 电接触 电连接 良率 覆盖
【主权项】:
1.一种具有电容器的存储器件,其特征在于,包括:基底,所述基底的顶表面具有多个电容接触区;多个电容接触,所述多个电容接触设置于基底上且与所述多个电容接触区一一对应电连接;以及第一支撑层,所述第一支撑层设置于所述基底上且覆盖所述多个电容接触区之间的所述基底的顶表面;其中,每个所述电容接触包括在远离所述基底的顶表面方向依次叠加的第一电容接触和第二电容接触,所述第一支撑层的顶表面高于所述第一电容接触的顶表面且低于所述第二电容接触的顶表面。
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