[实用新型]制作HIT硅电池的气相沉积装置

摘要

本实用新型公开一种制作HIT硅电池的气相沉积装置，包括等离子气体、设有入口和出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件、导流槽、真空泵及硅基体，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，射频电源射频电极电连接其正电极，射频电源地电极电连接其负电极；硅基体设于电极组件的下方，竖立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连真空泵与真空室内。通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

主权项

1.制作HIT硅电池的气相沉积装置，其特征在于，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口和出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件、导流槽、硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，其正电极连接射频电源射频电极，其负电极连接射频电源地电极；硅基体设于电极组件的下方，竖立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连通真空泵与真空室内。