[实用新型]制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置

摘要

本实用新型公开一种制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；硅基体设于电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。通过本实用新型的装置制作的HIT硅电池完全走干工艺，不涉及化学液的处理，干净卫生，而且完全是全自动化生产，减少人力物力，减省工序。

主权项

1.制作HIT硅电池的等离子气相沉积装置，其特征在于，包括等离子气体、射频电源、真空泵、设有入口及出口的真空室及容纳于真空室内的气盒、电离栅格、导流槽及硅基体，气盒连通真空室的入口，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；硅基体设于电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。