[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201821892623.4 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN209119155U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 梅震;方斌;蔡家豪;刘加云;汪俊;黄照明;邱智中;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/44;H01L33/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底，以及位于所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的多量子阱发光层、设置于第一半导体层之上的第一电极，以及设置于第二半导体层上的第二电极，其特征在于：所述第一电极侧壁周围设置有反射层，所述反射层表面设置有粗化结构层。本实用新型在电极的侧壁周围设置反射层级粗化结构层，一方面减少第一电极对光的吸收，提升发光二极管的光取出效率，另一方面在电极周围包覆反射层，可以减少金属迁移，防止掉电极，提升LED器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光二极管 第一电极 本实用新型 粗化结构 反射层 电极 侧壁 衬底 半导体技术领域 多量子阱发光层 反射层表面 光取出效率 第二电极 电极周围 金属迁移 包覆 层级 反射 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括衬底，以及位于所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的多量子阱发光层、设置于第一半导体层之上的第一电极，以及设置于第二半导体层上的第二电极，其特征在于：所述第一电极侧壁周围设置有反射层，所述反射层表面设置有粗化结构层。
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