[实用新型]半导体结构及测试系统有效
| 申请号： | 201821898448.X | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209434149U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;张志文;李静怡;王超;朱林迪;裴紫薇 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及测试系统。该半导体结构包括：衬底；掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区。该半导体结构在形成半导体器件的同时形成测试区，测试区中包括掺杂层以及贯穿掺杂层的第一沟槽，使得掺杂层具有明确的边界，便于对半导体器件的体区电阻等关键参数进行更为准确的表征，从而提高产品的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 半导体结构 半导体器件 测试区 衬底 测试系统 闭环 第一表面 关键参数 贯穿 电阻 良率 体区 隔离 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，用于形成至少一个半导体器件和至少一个测试区，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；掺杂层，形成于所述衬底的第一表面；以及多个沟槽，每个所述沟槽贯穿所述掺杂层并延伸至所述衬底内，其中，所述多个沟槽包括至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽用于形成相应的所述半导体器件的栅极，每个所述第一沟槽在所述掺杂层中限定并隔离出具有闭环边界的所述测试区，每个所述测试区分别具有两个测试节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
