[实用新型]一种金属应变感知器件有效
申请号: | 201821900556.6 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN209147922U | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 吴豪;彭望;黄鑫;尹周平 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01B7/16 | 分类号: | G01B7/16;G01B11/16;C23C14/16 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 孔娜;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型属于微纳光机电系统相关技术领域,其公开了金属应变感知器件,所述金属应变感知器件包括为柔性可拉伸结构,其包括硅光栅基底及形成在所述硅光栅基底上的金属薄膜层,所述硅光栅基底为柔性可拉伸基底,其具有可拉伸性及弯曲性;所述金属应变感知器件形成有应变感知区,所述应变感知区的电阻值随着所述金属感应器件的应变值的变化而变化;所述金属应变感知器件通过自身的电阻变化量来实现应变量的测量。本实用新型提供的金属应变感知器件具有可拉伸性和弯曲性,降低了制备成本,提高了效率。 | ||
搜索关键词: | 感知器件 金属 基底 光栅 本实用新型 可拉伸性 弯曲性 感知 电阻变化量 金属薄膜层 可拉伸结构 金属感应 应变量 电阻 拉伸 制备 测量 | ||
【主权项】:
1.一种金属应变感知器件,其特征在于:所述金属应变感知器件为柔性可拉伸结构,其包括硅光栅基底及形成在所述硅光栅基底上的金属薄膜层,所述硅光栅基底为柔性可拉伸基底,其具有可拉伸性及弯曲性;所述金属应变感知器件形成有应变感知区,所述应变感知区的电阻值随着所述金属应变感知器件的应变值的变化而变化;所述金属应变感知器件通过自身的电阻变化量来实现应变量的测量。
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