[实用新型]一种LPCVD沉积炉有效
申请号: | 201821903801.9 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN209098807U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 李保;李玲 | 申请(专利权)人: | 上海旻跃半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201401 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种LPCVD沉积炉,涉及沉积炉领域。该LPCVD沉积炉,包括底座,所述底座的顶部包括箱体、左支架和右支架,所述箱体的底部与底座的顶部固定连接,所述左支架位于箱体的左侧设置,所述左支架的底部与底座的顶部固定连接,左支架的右侧与箱体的左侧固定连接,右支架位于箱体的右侧设置,右支架的左侧与箱体的右侧固定连接,左支架的顶部包括左卡块,左卡块的底部后侧通过铰链与左支架的顶部后侧转动连接。该LPCVD沉积炉,通过在箱体的两侧设置左支架、左卡块、右支架和右卡块,从而达到了将沉积炉固定的目的,通过在箱体的两侧设置卡炉口和橡胶垫,在箱体的正面设置插板,从而解决了沉积炉体在箱体中不方便取出和放置的问题。 | ||
搜索关键词: | 左支架 右支架 底座 沉积炉 左卡块 两侧设置 本实用新型 正面设置 转动连接 固定的 橡胶垫 右卡块 插板 铰链 炉口 取出 | ||
【主权项】:
1.一种LPCVD沉积炉,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的顶部包括箱体(2)、左支架(12)和右支架(18),所述箱体(2)的底部与底座(1)的顶部固定连接,所述左支架(12)位于箱体(2)的左侧设置,所述左支架(12)的底部与底座(1)的顶部固定连接,所述左支架(12)的右侧与箱体(2)的左侧固定连接,所述右支架(18)位于箱体(2)的右侧设置,所述右支架(18)的左侧与箱体(2)的右侧固定连接,所述左支架(12)的顶部包括左卡块(10),所述左卡块(10)的底部后侧通过铰链与左支架(12)的顶部后侧转动连接,所述右支架(18)的顶部包括右卡块(15),所述右卡块(15)的底部后侧通过铰链与右支架(18)的顶部后侧转动连接;所述箱体(2)的内部包括上加热板(9)、沉积炉体(3)、进气管(11)、出气管(16)和下加热板(14),所述上加热板(9)位于箱体(2)的内壁设置,所述上加热板(9)的表面与箱体(2)的内壁卡接,所沉积炉体(3)位于上加热板(9)的下侧设置,所述沉积炉体(3)的左侧与进气管(11)的右端固定连接,所述沉积炉体(3)的右侧与出气管(16)的左端固定连接,所述下加热板(14)位于沉积炉体(3)的下侧设置,所述下加热板(14)的表面与箱体(2)的内壁卡接,所述沉积炉体(3)的内部包括左端盖(8)、载片舟(7)、沉积孔(6)、右端盖(4)和固定块(5),所述固定块(5)位于沉积炉体(3)的内壁底部设置,所述固定块(5)的底部与沉积炉体(3)内壁的底部固定连接,所述固定块(5)的顶部与载片舟(7)的表面底部固定连接,所述左端盖(8)位于载片舟(7)的左侧设置,所述左端盖(8)的内壁与载片舟(7)的表面左侧螺纹连接,所述右端盖(4)位于载片舟(7)的右侧设置,所述右端盖(4)的内壁与载片舟(7)的表面右侧螺纹连接,所述箱体(2)的正面包括插板(22),所述插板(22)位于箱体(2)的正面设置,所述插板(22)的表面与箱体(2)的内壁滑动连接,所述箱体(2)的两侧包括卡炉口(21),所述卡炉口(21)位于箱体(2)的两侧内壁开设,卡炉口(21)的内部包括橡胶垫(23),所述橡胶垫(23)的底部与卡炉口(21)的内壁底部粘接,所述进气管(11)的左端通过卡炉口(21)延伸至箱体(2)的左侧,所述进气管(11)的表面底部与橡胶垫(23)的表面活动连接,所述进气管(11)的表面底部与左支架(12)的顶部滑动连接,所述进气管(11)的表面顶部与左卡块(10)的底部卡接,所述出气管(16)的右端通过卡炉口(21)延伸至箱体(2)的右侧,所述出气管(16)的表面底部与橡胶垫(23)的表面活动连接所述出气管(16)的表面顶部与右卡块(15)的底部卡接,所述出气管(16)的表面底部与右支架(18)的顶部活动连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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