[实用新型]一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置有效
| 申请号： | 201821904812.9 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209045498U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李杰;祁鹏;袁立军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，包括：炉管；环形晶舟，炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟；若干环形晶舟的高度不同；通过调整若干环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异。本实用新型通过调整若干环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异，能够进一步减少炉管上下端均匀性的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 晶舟 炉管 均匀性 本实用新型 反应气体 厚度差异 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种改善HCD炉管硅片间均匀性差异的装置，其特征在于，包括：炉管；环形晶舟，所述炉管的内部自上而下设有若干环形晶舟；若干所述环形晶舟的高度不同；通过调整若干所述环形晶舟的高度以调整参与反应气体的量，从而补偿硅片面内厚度差异。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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