[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201821914889.4 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN209199974U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;肖扬;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层、所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，所述电子提供层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述第一子层为Ag层，所述第二子层为N型掺杂的GaN层。本实用新型通过将Ag层和N型掺杂的GaN层交替层叠形成电子提供层，Ag层可以对N型掺杂的GaN层提供的电子进行扩展，使电子在N型掺杂的GaN层中均匀分布，有效避免产生电流拥堵效应。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 电子提供层 氮化镓基发光二极管 外延片 未掺杂氮化镓层 空穴 本实用新型 交替层叠 缓冲层 衬底 源层 半导体技术领域 电流拥堵 依次层叠 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层、所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子提供层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述第一子层为Ag层，所述第二子层为N型掺杂的GaN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821914889.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效率双玻真空中空组件
- 下一篇：一种倒装LED芯片
