[实用新型]用于高密度面阵性能验证的测试结构

摘要

本专利公开了一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极。光敏区由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极。本专利的优点在于：1、通过测试结构的制备和测试，可以对比不同阵列设计的性能，为大面阵设计提供理论依据；2、中心距较小的面阵测试复杂，且测试结果受到其他因素影响，而本专利公布的测试结构测试步骤简便易操作，可以直接得到面阵的性能参数。

主权项

1.一种用于高密度面阵性能验证的测试结构，包括半绝缘InP衬底(1)、N型InP缓冲层(2)、InGaAs吸收层(3)、N型InP帽层(4)、光敏区(5)、P电极(6)、N电极(7)，其特征在于：光敏区(5)由18组有效面积为60μmⅹ60μm的探测器光敏元阵列组成，每组探测器阵列共同引出一个P电极，所有探测器阵列共用一个N电极；所述的光敏元阵列中，第1‑6组阵列规模为6ⅹ6，扩散孔中心距为10μm，其中第1‑3组扩散孔形状为方形，边长分别为3μm、4μm、5μm；第4‑6组扩散孔形状为圆形，直径分别为3μm、4μm、5μm；第7‑12组阵列规模为4ⅹ4，扩散孔中心距为15μm，其中第7‑9组扩散孔形状为方形，边长分别为8μm、9μm、10μm；第10‑12组扩散孔形状为圆形，直径分别为8μm、9μm、10μm；第13‑18组阵列规模为3ⅹ3，扩散孔中心距为20μm，其中第13‑15组扩散孔形状为方形，边长分别为13μm、14μm、15μm；第16‑18组扩散孔形状为圆形，直径分别为13μm、14μm、15μm。