[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201821919887.4 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN209016059U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 包德君;石文杰 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背照式图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有由外围电路区域包围的光敏区域，所述外围电路区域与所述光敏区域之间形成有第一隔离结构；背面隔离沟槽，形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中，且与所述第一隔离结构上下对应设置。本实用新型中背照式图像传感器能够有效减少由外围电路区域进入光敏区域的电子数量，降低背照式图像传感器的暗电流，减少白像素的产生，提高了背照式图像传感器的成像效果。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式图像传感器 外围电路区域 半导体 光敏区域 衬底 隔离结构 本实用新型 衬底背面 成像效果 隔离沟槽 上下对应 有效减少 暗电流 白像素 背面 包围 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，其特点在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有由外围电路区域包围的光敏区域，所述外围电路区域与所述光敏区域之间形成有第一隔离结构；背面隔离沟槽，形成于所述半导体衬底背面一侧的半导体衬底中，且与所述第一隔离结构上下对应设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
