[实用新型]一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置有效
申请号: | 201821920845.2 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN209000881U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 何锐杰;许晓逸;孙嘉悦;张一彤 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 成立珍 |
地址: | 210019 江苏省南京市建*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置。该装置包括二氧化碳储罐(1),二氧化碳储罐(1)通过冷却器(2)、输送泵(3)和热转换器(4)连接到清洁室(5);清洁室(5)中含有活动式喷嘴(6)、芯片架(7)、压力控制器(8)、光强检测机构(10);光强检测机构(10)连接一处理器(15);清洁室(5)的出口连接通过二氧化碳分离槽(12)连接二氧化碳储罐(1)。本实用新型能够克服传统手工清理钝化前Si基HgCdTe芯片工艺的不足,缩短清洗时间,避免有毒有害有机溶剂的使用,降低了对操作人员的技术要求,使得对芯片的清洁转向自动化,同时还充分发挥了超临界二氧化碳高扩散性、高溶解性和绿色环保的特点。 | ||
搜索关键词: | 二氧化碳储罐 清洁室 钝化 芯片清洗装置 本实用新型 光强 超临界二氧化碳 二氧化碳分离 压力控制器 出口连接 高扩散性 高溶解性 技术要求 绿色环保 热转换器 芯片工艺 有机溶剂 喷嘴 活动式 冷却器 输送泵 芯片架 处理器 清洗 自动化 芯片 清洁 | ||
【主权项】:
1.一种钝化前Si基HgCdTe芯片清洗装置,包括二氧化碳储罐,二氧化碳储罐顺次通过冷却器连接到输送泵,输送泵通过热转换器连接到清洗室,清洗室的出口顺次通过减压阀连接到二氧化碳分离槽的入口,二氧化碳分离槽的气体出口经冷凝器连接到二氧化碳储罐,所述二氧化碳储罐的上方具有压力控制器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造