[实用新型]具有图形化基材的氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 201821933529.9 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN209199939U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 卢彦勋;陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有图形化基材的氮化镓半导体器件，由下往上依序具有图形化基材及氮化镓半导体晶体管外延结构，其中图形化基材由硅基材及图案化绝缘层组成，且图案化绝缘层以数组方式设置在硅基材上，其中图案化绝缘层的顶端为弧形、尖锥形或是图案化绝缘层为梯形结构，利用图形化基材来提升氮化镓化合物组件的质量，并且利用磊晶制程在图形化基材上成长高质量氮化镓材料，以形成具有高速电子迁移率的场效晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 图形化 基材 图案化绝缘层 氮化镓半导体器件 硅基材 氮化镓半导体 氮化镓化合物 场效晶体管 氮化镓材料 高速电子 数组方式 梯形结构 外延结构 尖锥形 迁移率 晶体管 磊晶 制程 | ||
【主权项】：
1.一种具有图形化基材的氮化镓半导体器件，由下往上依序具有图形化基材及氮化镓半导体晶体管外延结构，其特征在于:所述图形化基材由硅基材及图案化绝缘层组成，所述图案化绝缘层以数组方式设置在所述硅基材上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷苙科技股份有限公司，未经捷苙科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821933529.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
