[实用新型]一种倒装LED芯片有效
申请号: | 201821935732.X | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN209199975U | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 张威;刘丽;戴广超;龙晓阳;王江波 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/62 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种倒装LED芯片,属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、一次N型电极、一次P型电极、二次N型电极、二次P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘反射层和绝缘层;绝缘反射层设置在P型半导体层上和第一凹槽内,绝缘反射层上设有延伸至一次N型电极的第一通孔和延伸至一次P型电极的第二通孔;二次N型电极和二次P型电极间隔设置在绝缘反射层上,二次N型电极通过第一通孔与一次N型电极连接,二次P型电极通过第二通孔与一次P型电极连接;二次N型电极和二次P型电极均包括金属反射层。本实用新型可提高芯片的发光亮度。 | ||
搜索关键词: | 绝缘反射层 通孔 倒装LED芯片 本实用新型 绝缘层 半导体技术领域 金属反射层 间隔设置 延伸 衬底 源层 发光 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、一次N型电极、一次P型电极、二次N型电极、二次P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘反射层和绝缘层;所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上,所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽;所述一次N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上,所述一次P型电极设置在所述P型半导体层上;所述绝缘反射层设置在所述P型半导体层上和所述第一凹槽内,所述绝缘反射层上设有延伸至所述一次N型电极的第一通孔和延伸至所述一次P型电极的第二通孔;所述二次N型电极和所述二次P型电极间隔设置在所述绝缘反射层上,所述二次N型电极通过所述第一通孔与所述一次N型电极连接,所述二次P型电极通过所述第二通孔与所述一次P型电极连接;所述二次N型电极和所述二次P型电极均包括金属反射层;所述绝缘层设置在所述二次N型电极、所述二次P型电极、以及所述二次N型电极和所述二次P型电极之间的绝缘反射层上,所述绝缘层上设有延伸至所述二次N型电极的第三通孔和延伸至所述二次P型电极的第四通孔;所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上,所述N型焊盘通过所述第三通孔与所述二次N型电极连接,所述P型焊盘通过所述第四通孔与所述二次P型电极连接。
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