[实用新型]一种低电阻的高导电金属化薄膜有效
| 申请号： | 201821949562.0 | 申请日： | 2018-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN208970520U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张意浓 | 申请（专利权）人： | 厦门精伦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种低电阻的高导电金属化薄膜，涉及金属化薄膜技术领域，设于基材及电极之间，包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层设于所述基材的一侧面，所述第二导电层设于所述第一导电层另一侧表面，所述第二导电层另一侧面则与所述电极接触，用作所述第一导电层与所述电极之间的导电媒介。本实用新型通过第一导电层有效防止因受基材表面粗糙度而对第二导电层的导电性产生影响，并且第二导电层可有效降低薄膜结构相对电极产生的接触电阻，对导电性有明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 导电性 本实用新型 高导电金属 电极 低电阻 基材 薄膜 金属化薄膜 薄膜结构 导电媒介 电极产生 电极接触 基材表面 接触电阻 侧面 粗糙度 | ||
【主权项】：
1.一种低电阻的高导电金属化薄膜，设于基材及电极之间，其特征在于，包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层设于所述基材的一侧面，所述第二导电层设于所述第一导电层另一侧表面，所述第二导电层另一侧面则与所述电极接触，用作所述第一导电层与所述电极之间的导电媒介。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
