[实用新型]一种光源结构、光学投影模组、感测装置及设备有效

专利信息
申请号: 201821958708.8 申请日: 2018-11-24
公开(公告)号: CN209570793U 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 田浦延 申请(专利权)人: 深圳阜时科技有限公司
主分类号: G03B21/20 分类号: G03B21/20;G01B11/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型适用于光学和电子技术领域,提供了提供一种光源结构,其用于发射光束至一被测目标物上进行三维感测。所述光源结构包括半导体基底及形成在所述半导体基底上的多个发光单元。所述发光单元以二维点阵的形式分布在所述半导体基底上。其中至少三个相邻发光单元在半导体基底上非等间距排布。所述发光单元之间整体上的归一化相关系数的峰值大于或等于0.3而小于1。本实用新型还提供一种使用该光源结构的光学投影模组、感测装置及设备。
搜索关键词: 半导体基底 发光单元 光源结构 本实用新型 感测装置 光学投影 模组 归一化相关系数 电子技术领域 等间距排布 被测目标 二维点阵 发射光束 感测 三维
【主权项】:
1.一种光源结构,其特征在于,用于发射光束至一被测目标物上进行三维感测,所述光源结构包括半导体基底、阳极、阴极、及形成在所述半导体基底上的多个发光单元,所述阴极和阳极分别设置在所述半导体基底相对的两端面上,用于激发所述发光单元发光,所述发光单元以二维点阵的形式分布在所述半导体基底上,其中至少三个相邻发光单元在半导体基底上非等间距排布,所述发光单元之间整体上的归一化相关系数的峰值大于或等于0.3而小于1。
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