[实用新型]一种声表面波器件用压电晶片有效
| 申请号： | 201821959762.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209619506U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 温旭杰;宋伟;宋松;崔建钢;陈培杕;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B31/02;C30B33/00;H01L41/187;H01L41/39 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 伍华荣 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于声表面波（SAW）器件的压电晶片及其制备方法。本实用新型提供了一种压电晶片，其表层为具有近化学计量比结构的富锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米，第二层为热释电效应弱的还原层，第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构，本实用新型提供了一种通过气相平衡运输方式（VTE）对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片（还原片）进行富锂化的方法，使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本实用新型还提供了一种通过优化丝网印刷碳酸锂粉工艺，对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 压电晶片 铌酸锂 热释电效应 钽酸锂晶片 多层结构 还原处理 还原层 晶片 锂化 近化学计量比 声表面波器件 晶格缺陷 气相平衡 声表面波 丝网印刷 运输方式 第三层 粉工艺 基底层 碳酸锂 钽酸锂 锂空位 锂离子 锂层 制备 还原 占据 优化 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件用压电晶片，包括表层、还原层和晶片基底层，其特征是：所述表层为铌酸锂、钽酸锂单晶加工制成的同质晶片；所述表层的有效深度为几微米至几十微米。
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