[实用新型]一种改进型平面MOS器件有效
| 申请号： | 201821966286.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209029386U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;徐吉程;范玮 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种改进型平面MOS器件，该器件通过在同一个单胞内设置两个P型阱区，使得相邻两个单胞的P型阱区能够形成交叉P型阱区，使得掺杂有P型阱区的部分底部趋于形成一个平面，而不是传统的单独的P型阱区形成的一个个柱状结；通过优化体区注入形貌，采取两次P型阱区注入使得P型阱区底部与外延层形成平面结；其结构新颖，提升了平面MOS器件的击穿电压，提升器件性能；整个该器件的制作工艺简单，无需增加额外的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 平面MOS器件 改进型 单胞 形貌 本实用新型 击穿电压 提升器件 制造成本 制作工艺 传统的 平面结 外延层 体区 柱状 掺杂 优化 | ||
【主权项】：
1.一种改进型平面MOS器件，其特征在于，由若干个相邻的单胞并列组成，每一个单胞从下至上依次包括N+单晶硅衬底(1)、N‑外延层(2)、中间层(13)和源区金属层(11)；每一个单胞的N‑外延层(2)内部的顶部设置有第一P型阱区(5)和第二P型阱区(6)，同一单胞内第一P型阱区(5)与第二P型阱区(6)之间为N‑外延层(2)；每一个第一P型阱区(5)与相邻单胞的第二P型阱区(6)区域交叉形成交叉P型阱区(14)；所述中间层(13)包括交错布置且相互接触的接触金属区(10)和绝缘介质氧化区(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华羿微电子股份有限公司，未经华羿微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821966286.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功率器件
- 下一篇：一种超低功耗半导体功率器件
- 同类专利
- 专利分类
