[实用新型]一种绝缘栅型MOS管有效
| 申请号： | 201821969248.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209183554U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈国斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市合科泰电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人： | 赵文曲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘栅型MOS管，包括管体，所述管体内腔的底部固定连接有导入层，所述导入层的顶部固定连接有衬底，所述衬底的顶部固定连接有外延层，所述外延层的顶部固定连接有传递层，所述外延层的内腔开设有导电沟道，所述导电沟道的顶部依次贯穿外延层和传递层并延伸至传递层的顶部。本实用新型通过导入层的设置，能够方便电流的导入，也方便其他硅体的导入，通过管体、导入层、衬底、外延层、传递层和导电沟道的配合使用，能够大大改善本MOS管的导电和绝缘情况，大大提高使用效率和导电效率，使击穿电压不会过高，且能够进行两端对调，方便人们的使用，且本MOS管的体积更小更省电，能够节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 传递层 导入层 导电沟道 衬底 本实用新型 绝缘栅型 管体 导电效率 管体内腔 击穿电压 使用效率 导电 对调 硅体 绝缘 内腔 省电 贯穿 节约 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅型MOS管，包括管体(1)，其特征在于：所述管体(1)内腔的底部固定连接有导入层(2)，所述导入层(2)的顶部固定连接有衬底(3)，所述衬底(3)的顶部固定连接有外延层(4)，所述外延层(4)的顶部固定连接有传递层(5)，所述外延层(4)的内腔开设有导电沟道(6)，所述导电沟道(6)的顶部依次贯穿外延层(4)和传递层(5)并延伸至传递层(5)的顶部。
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