[实用新型]一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置

摘要

本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，尤其为一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉、加热室和合成仓以及控制箱体，所述加热炉的内部设有加热室，所述加热炉的基面固定安装有控制箱体，所述加热室的内部设有合成仓，所述合成仓的内壁底部固定安装有固定卡座，所述固定卡座的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器和压力传感器，整体装置由充入保护气体和压力传感器便于压力平衡，避免多晶合成时仓内压力的失衡，抽真空时合成仓与密封塞的密封，起到很高的密封作用，实现同组份的高纯砷和高纯镓的合成反应，实现大合成量，大幅提高生产效率，结构简单方便使用，且稳定性和实用性较高，具有一定的推广价值。

主权项

1.一种同组份砷化镓多晶大合成量工艺装置，包括加热炉（1）、加热室（2）和合成仓（3）以及控制箱体（4），其特征在于：所述加热炉（1）的内部设有加热室（2），所述加热炉（1）的基面固定安装有控制箱体（4），所述加热室（2）的内部设有合成仓（3），所述合成仓（3）的内壁底部固定安装有固定卡座（12），所述固定卡座（12）的顶部左侧从前至后依次设有温度传感器（13）和压力传感器（14），所述固定卡座（12）的内部放置有石英舟（15），所述石英舟（15）的内部从前至后交叠放置有高纯砷（16）和高纯镓（17），所述合成仓（3）的一侧贯通控制箱体（4）的内部，所述控制箱体（4）的基面左侧开设有通风孔（18），所述控制箱体（4）的内部贴近通风孔（18）的一侧固定安装有真空泵（10），所述真空泵（10）与合成仓（3）的内侧之间固定安装有连接管（11），所述的控制箱体（4）的基面右侧嵌入安装控制面板（5），所述控制箱体（4）的基面位于控制面板（5）的下侧安装有氮气进气管（8），所述氮气进气管（8）的另一端贯通控制箱体（4）的内部连接于合成仓（3），所述氮气进气管（8）上设置有连接阀（9），所述控制箱体（4）的基面上位于合成仓（3）的一侧固定安装有进料仓门（6），所述进料仓门（6）与控制箱体（4）的左侧连接处固定安装有门铰链（602），所述进料仓门（6）的基面上中心处固定安装有把手（601），所述进料仓门（6）的背部贴近合成仓（3）的一侧固定安装有密封塞（603），所述进料仓门（6）与控制箱体（4）的右侧固定安装有锁紧机构（7）。