[实用新型]铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极有效

专利信息
申请号: 201821983915.9 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN208970521U 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 李刚;王天齐;彭塞奥;姚婷婷;金克武 申请(专利权)人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0445
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层;第一阻挡层为厚度10~200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层;金属层为厚度20~200nm的Al层或Cu层;第二阻挡层为厚度5~50nm的MoN膜层或TiN膜层;内Mo层的厚度为100~800nm,所述外Mo层的厚度为20~200nm;通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极,电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时,更进一步提高了薄膜电池的性能,且工艺简单,制备方便。
搜索关键词: 电极 阻挡层 膜层 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 金属层 铜铟镓硒薄膜电池 玻璃基板表面 玻璃基板顶面 磁控溅射工艺 本实用新型 薄膜电池 玻璃基板 依次层叠 溅镀 制备
【主权项】:
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极,其特征在于,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层;所述第一阻挡层为厚度10~200nm 的SiN膜层或SiOxNy膜层;所述金属层为厚度20~200nm的Al层或Cu层;所述第二阻挡层为厚度5~50nm 的MoN膜层或TiN膜层;所述内Mo层的厚度为100~800nm,所述外Mo层的厚度为20~200nm。
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