[实用新型]铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极有效
申请号: | 201821983915.9 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN208970521U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 李刚;王天齐;彭塞奥;姚婷婷;金克武 | 申请(专利权)人: | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层;第一阻挡层为厚度10~200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层;金属层为厚度20~200nm的Al层或Cu层;第二阻挡层为厚度5~50nm的MoN膜层或TiN膜层;内Mo层的厚度为100~800nm,所述外Mo层的厚度为20~200nm;通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极,电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时,更进一步提高了薄膜电池的性能,且工艺简单,制备方便。 | ||
搜索关键词: | 电极 阻挡层 膜层 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 金属层 铜铟镓硒薄膜电池 玻璃基板表面 玻璃基板顶面 磁控溅射工艺 本实用新型 薄膜电池 玻璃基板 依次层叠 溅镀 制备 | ||
【主权项】:
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极,其特征在于,包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层;所述第一阻挡层为厚度10~200nm 的SiN膜层或SiOxNy膜层;所述金属层为厚度20~200nm的Al层或Cu层;所述第二阻挡层为厚度5~50nm 的MoN膜层或TiN膜层;所述内Mo层的厚度为100~800nm,所述外Mo层的厚度为20~200nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,未经中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821983915.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低电阻的高导电金属化薄膜
- 下一篇:一种太阳能光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的