[实用新型]闪存单元、闪存模块以及闪存芯片有效
| 申请号： | 201821984477.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209103825U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种闪存单元、闪存模块以及闪存芯片，该闪存单元包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，可编程半导体器件与模拟电容单元并联连接，其中，通过设置模拟电容单元存储临时数据，能够有效减少可编程半导体器件的擦写次数，避免可编程半导体器件的老化。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程半导体器件 模拟电容 闪存单元 临时数据 闪存模块 闪存芯片 存储 本实用新型 并联连接 单元存储 有效减少 擦写 长时 老化 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元，其特征在于，包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，所述可编程半导体器件与所述模拟电容单元并联连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京知存科技有限公司，未经北京知存科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821984477.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
