[实用新型]具有缓存通道的硅片输送装置有效
| 申请号： | 201821986922.4 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209232751U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 汤帅;黄文杰;邱其伟 | 申请（专利权）人： | 无锡市江松科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有缓存通道的硅片输送装置，包括输送带和设置在输送带上方的缓存平台，缓存平台包括至少两个相对设置的缓存块，和带动缓存块升降横移的综合动力装置，通过设置在输送带上方的缓存平台的设置，使得输送带在执行硅片输送的同时还能在输送带上方缓存下一个待输送的硅片，既满足了在生产节拍慢时的输送需求也满足了在生产节拍较快的时候的硅片输送需求同时还节省了额外的输送带的设置，节约了硅片输送装置的占地空间。 | ||
| 搜索关键词： | 输送带 硅片输送装置 缓存平台 硅片输送 缓存通道 生产节拍 缓存块 综合动力装置 缓存 本实用新型 升降横移 相对设置 占地空间 硅片 节约 | ||
【主权项】：
1.一种具有缓存通道的硅片输送装置，其特征在于，包括输送带和设置在所述输送带上方的缓存平台，所述缓存平台包括至少两个相对设置的缓存块，和带动所述缓存块升降横移的综合动力装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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