[实用新型]半导体工艺设备有效
| 申请号： | 201821987973.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209029338U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 雷喜凡;王昕昀;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体工艺设备，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。本实用新型中承载结构上的被承载物通过动力部件在腔体内进行上升下降运动；本实用新型还在动力部件与腔体连接处设置有一阀门，通过控制阀门阻止粉末杂质掉入动力部件内，从而防止粉末杂质在动力部件内形成颗粒杂质污染源，使产品的质量得到了较大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 动力部件 本实用新型 承载结构 升降杆 半导体工艺设备 腔体连接处 承载平台 粉末杂质 腔体外部 阀门 腔体 上升下降运动 被承载物 颗粒杂质 控制阀门 腔体连通 腔体内部 延伸 隔断 污染源 体内 容纳 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：腔体；承载结构，所述承载结构包括一位于所述腔体内部的承载平台和与所述承载平台相连且延伸至所述腔体外部的升降杆；动力部件，所述动力部件与所述腔体连接并容纳所述升降杆延伸至所述腔体外部的部分，所述动力部件与所述升降杆之间具有空隙；其中，在所述动力部件与所述腔体连接处设置有一阀门，以使所述动力部件与所述腔体连通或隔断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
