[实用新型]一种功能化宽幅植入式微电极阵列有效
| 申请号： | 201821989496.X | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209645649U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杜学敏;王娟 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;C09D4/00;C09D105/04;C09D105/08;C09D167/04;C08G63/06;C08G63/78 |
| 代理公司： | 11430 北京市诚辉律师事务所 | 代理人： | 耿慧敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功能化宽幅植入式微电极阵列。该功能化宽幅微电极阵列包括依次设置的功能层、基底层、导电层、绝缘层；所述功能层为单分子层、高分子材料层和/或高分子复合物层，厚度为1nm‑1000μm。本实用新型的功能化宽幅微电极阵列通过增大微电极尺寸，能够有效调节微电极位点、线路、间距等相关参数，从而降低微电极微加工过程中的工艺复杂程度，极大提高高成本微电极阵列的良品率，解决高密度微电极阵列的设计难题；通过功能化宽幅设计，能够实现微电极阵列折叠或卷曲功能，从而实现微创植入，极大降低手术风险。 | ||
| 搜索关键词： | 微电极阵列 功能化 宽幅 微电极 本实用新型 功能层 绝缘层 高分子材料层 高分子复合物 植入式微电极 单分子层 相关参数 依次设置 有效调节 导电层 基底层 良品率 微加工 卷曲 折叠 微创 位点 植入 | ||
【主权项】：
1.一种功能化宽幅植入式微电极阵列，其特征在于，该功能化宽幅植入式微电极阵列包括依次设置的功能层、基底层、导电层、绝缘层；/n其中，所述功能层为单分子层、高分子材料层和/或高分子复合物层，厚度为1nm-1000μm。/n
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