[实用新型]一种同轴转基片集成波导过渡结构有效

专利信息
申请号: 201821990537.7 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN208889823U 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 刘聪 申请(专利权)人: 成都锐芯盛通电子科技有限公司
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 刘华平
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种同轴转基片集成波导过渡结构,包括用于输入信号的绝缘子、设置于所述绝缘子上方用于过渡的空气同轴、设置于所述空气同轴上方用于形成SIW的基片、设置于基片内部且贯穿空气同轴和绝缘子的插针、设置于所述基片上表面且均匀分布的用于接地的多个SIW屏蔽地孔,以及设置于基片上表面的过渡部件。本实用新型解决了现有技术的结构复杂、尺寸大、插损大的问题,达到了结构简单易行、占用空间尺寸小、插损小的效果。
搜索关键词: 同轴 绝缘子 基片集成波导 本实用新型 基片上表面 过渡结构 插损 过渡部件 占用空间 接地 屏蔽 插针 地孔 贯穿
【主权项】:
1.一种同轴转基片集成波导过渡结构,其特征在于,包括用于输入信号的绝缘子(3)、设置于所述绝缘子(3)上方用于过渡的空气同轴(2)、设置于所述空气同轴(2)上方用于形成SIW的基片(1)、设置于基片(1)内部且贯穿空气同轴(2)和绝缘子(3)的插针(4)、设置于所述基片(1)上表面且均匀分布的用于接地的多个SIW屏蔽地孔(5),以及设置于基片(1)上表面的过渡部件;所述过渡部件包括通过弧形连接件(8)连接的两个L形槽(9)、设置于两个L形槽(9)之间且位于弧形连接件(8)内侧的用于连接插针(4)的插针孔(7),以及设置在基片(1)内部用于连接所述插针(4)与基片(1)表层的地的低阻线;围绕着弧形连接件(8)外侧设置有多个呈半圆形分布的同轴屏蔽地孔(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐芯盛通电子科技有限公司,未经成都锐芯盛通电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821990537.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top