[实用新型]一种同轴转基片集成波导过渡结构有效
申请号: | 201821990537.7 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN208889823U | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 刘聪 | 申请(专利权)人: | 成都锐芯盛通电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 刘华平 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种同轴转基片集成波导过渡结构,包括用于输入信号的绝缘子、设置于所述绝缘子上方用于过渡的空气同轴、设置于所述空气同轴上方用于形成SIW的基片、设置于基片内部且贯穿空气同轴和绝缘子的插针、设置于所述基片上表面且均匀分布的用于接地的多个SIW屏蔽地孔,以及设置于基片上表面的过渡部件。本实用新型解决了现有技术的结构复杂、尺寸大、插损大的问题,达到了结构简单易行、占用空间尺寸小、插损小的效果。 | ||
搜索关键词: | 同轴 绝缘子 基片集成波导 本实用新型 基片上表面 过渡结构 插损 过渡部件 占用空间 接地 屏蔽 插针 地孔 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种同轴转基片集成波导过渡结构,其特征在于,包括用于输入信号的绝缘子(3)、设置于所述绝缘子(3)上方用于过渡的空气同轴(2)、设置于所述空气同轴(2)上方用于形成SIW的基片(1)、设置于基片(1)内部且贯穿空气同轴(2)和绝缘子(3)的插针(4)、设置于所述基片(1)上表面且均匀分布的用于接地的多个SIW屏蔽地孔(5),以及设置于基片(1)上表面的过渡部件;所述过渡部件包括通过弧形连接件(8)连接的两个L形槽(9)、设置于两个L形槽(9)之间且位于弧形连接件(8)内侧的用于连接插针(4)的插针孔(7),以及设置在基片(1)内部用于连接所述插针(4)与基片(1)表层的地的低阻线;围绕着弧形连接件(8)外侧设置有多个呈半圆形分布的同轴屏蔽地孔(6)。
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