[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201821991191.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209199976U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层为P型掺杂的AlGaN层，所述第二子层为GeN层。本实用新型通过在P型掺杂的AlGaN层中插入至少一个GeN层形成电子阻挡层，GeN与GaN的晶格不同但晶格匹配度较好，可以降低电子阻挡层中的应力和缺陷，改善空穴在电子阻挡层中的平面扩展能力，提高空穴的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 子层 氮化镓基发光二极管 外延片 空穴 本实用新型 衬底 源层 半导体技术领域 晶格匹配度 平面扩展 依次层叠 注入效率 晶格 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层为P型掺杂的AlGaN层，所述第二子层为GeN层。
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