[实用新型]双层外延片的制造设备有效
| 申请号： | 201821995486.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209227101U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈海波 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/18 | 分类号： | C30B31/18;C30B29/06;C30B25/20;C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强;倪嘉慧 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双层外延片的制造设备，包括：第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道，第一掺杂气源管道用于缓冲层生长时的掺杂气源输送，第二掺杂气源管道用于耐压层生长时的掺杂气源输送，第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道分别独立设置。本实用新型研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本实用新型在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道，可以解决这个问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 气源管道 生长 耐压层 本实用新型 双层外延片 缓冲层 气源输送 制造设备 过渡区 机台 气源输送管道 高浓度掺杂 独立设置 气体管路 磷烷 硼烷 残留 研究 | ||
【主权项】：
1.一种双层外延片的制造设备，其特征在于，包括：第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道，第一掺杂气源管道用于缓冲层生长时的掺杂气源输送，第二掺杂气源管道用于耐压层生长时的掺杂气源输送，第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道分别独立设置。
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