[实用新型]半导体电容器有效
| 申请号： | 201821996078.3 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN208954983U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体电容器，半导体电容器包括下电极、第一介电层、第一上电极以及至少一个晶须结构。其中晶须结构可以由晶须凝核形成也可以是去除晶须凝核形成的晶须结构之后形成的一包括第二上电极和第二介电层的结构。这样的半导体电容器表面由大量晶须包覆，因此各部分结构的表面积得到增加，从而使电容量得到增加。且能够降低自刷新数据刷新作动频率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体电容器 晶须结构 晶须 电极 介电层 数据刷新 电容量 下电极 自刷新 包覆 去除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电容器，其特征在于，包括：下电极；第一介电层，形成于所述下电极表面；第一上电极，形成于所述第一介电层表面；至少一个晶须结构，被所述下电极包覆。
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