[实用新型]具有平坦化结构的化合物半导体器件有效
| 申请号： | 201821998009.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209461468U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有平坦化结构的化合物半导体器件，平坦化结构包括叠设在于化合物半导体器件上的多个第一介电层与多个第二介电层，其中，通过设定平坦化工艺器中，研磨组件对于第一介电层与第二介电层的蚀刻选择比，借此，形成表面粗糙度在5‑20nm范围之间的平坦化结构。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦化 介电层 化合物半导体器件 本实用新型 表面粗糙度 蚀刻选择比 研磨组件 工艺器 | ||
【主权项】：
1.一种具有平坦化结构的化合物半导体器件，其特征在于，所述平坦化结构包括叠设在于所述化合物半导体器件上的多个第一介电层与多个第二介电层，其中，所述平坦化结构的表面粗糙度范围在5‑20nm之间。
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