[实用新型]宽带抗弯多模光纤

摘要

本实用新型提供一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO₂，P₂O₅和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述基管的宽度为R2‑R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述下陷包层的宽度为R3‑R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述外包层的宽度为Rmax‑R3，所述芯层中的P₂O₅和F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化。本实用新型提供的宽带抗弯多模光纤，降低了所制造的抗弯多模光纤的成本并且具有良好的抗弯性能。

主权项

1.一种宽带抗弯多模光纤，包括芯层、基管、下陷包层及外包层，所述基管、下陷包层及外包层沿径向的横截面均为圆环，其特征在于：所述芯层中掺杂有GeO₂，P₂O₅和F，所述芯层为折射率渐变区，所述芯层半径为R1，所述基管套设于所述芯层外侧，所述芯层中心到所述基管边界的距离为R2，所述基管的宽度为R2‑R1，所述下陷包层设置在所述基管的外侧，所述芯层中心到所述下陷包层边界的距离为R3，所述下陷包层的宽度为R3‑R2，所述外包层套设于所述下陷包层的外侧，所述芯层中心到所述外包层边界的距离为Rmax，所述外包层的宽度为Rmax‑R3，所述芯层中的F的摩尔浓度随所述芯层的半径变化，满足如下公式：其中，M_F0为所述芯层中心的F的摩尔浓度，β_F的取值范围为6‑10，所述M_F(r)表示所述F在所述芯层中心轴的径向距离r处的摩尔浓度。