[实用新型]一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构

摘要

本实用新型属于半导体材料领域，公开了一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图、外缘、重叠区、曝光区，所述的单位图规则排布于曝光区，所述的外缘包括上外缘、下外缘，所述上外缘、下外缘分别设于曝光区的上下两侧，所述重叠区由两个不同曝光区拼接，且由一个所述曝光区的上外缘与另一个曝光区的下外缘拼接而成，本实用新型中，采用两曝光区纵向大半圆拼接的方式，对掩模对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，达到消除残胶、提高曝光质量的目的。

主权项

1.一种图形化蓝宝石衬底曝光纵向拼接结构，包括单位图（1）、外缘（2）、重叠区（3）、曝光区（4），其特征在于，所述的单位图（1）规则排布于曝光区（4），所述的外缘（2）包括上外缘（21）、下外缘（22），所述上外缘（21）、下外缘（22）分别设于曝光区（4）的上下两侧，所述重叠区（3）由两个不同曝光区（4）拼接，且由一个所述曝光区（4）的上外缘（21）与另一个曝光区（4）的下外缘（22）拼接而成。