[实用新型]一种多晶合成炉有效
申请号: | 201822020016.5 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN209685955U | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 袁泽海;于洪国;马远飞;易见伟;马英俊;许所成;李万朋 | 申请(专利权)人: | 有研光电新材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/42 | 分类号: | C30B29/42;C30B28/06 |
代理公司: | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人: | 佟林松<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种多晶合成炉。该多晶合成炉包括炉体和炉膛,所述炉膛分为高温加热区和低温加热区,还包括在炉膛内的碳化硅炉管以及所述碳化硅炉管内的晶体生长管;所述晶体生长管在低温加热区设置有一种多晶原料放置区;并且所述晶体生长管在高温加热区设置有另一种多晶原料放置区。本实用新型中,多晶合成炉的炉膛内分为高温加热区和低温加热区,且炉膛内设有碳化硅炉管,结构简单、易操作,且能够保证多晶的纯度,得到的砷化镓多晶杂质含量少、镓砷比接近1:1,可控性强且成本低,解决了现有技术中水平梯度凝固法用多晶合成炉结构复杂、不易操作、可控性差且成本高等技术问题。 | ||
搜索关键词: | 炉膛 多晶 合成炉 低温加热区 高温加热区 碳化硅炉管 晶体生长 本实用新型 多晶原料 放置区 可控性 水平梯度凝固法 砷化镓 炉体 镓砷 保证 | ||
【主权项】:
1.一种多晶合成炉,其特征在于,包括炉体(1)和炉膛,所述炉膛分为高温加热区和低温加热区(4),还包括在炉膛内的碳化硅炉管(2)以及所述碳化硅炉管(2)内的晶体生长管(3);所述晶体生长管(3)在低温加热区(4)设置有一种多晶原料放置区(5);并且所述晶体生长管(3)在高温加热区设置有另一种多晶原料放置区。/n
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