[实用新型]半极性氮化镓半导体构件有效
| 申请号： | 201822027655.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN208970551U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多两个量子阱层；以及第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 氮化镓半导体 泄漏电流 半极性 防护层 量子阱层 | ||
【主权项】：
1.一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括一个或两个量子阱层；以及第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
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