[实用新型]芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构有效
| 申请号： | 201822028036.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209045534U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种芯片塑封结构及晶圆片级塑封结构，涉及半导体生产技术领域，晶圆片级塑封结构包括：多颗底芯片；芯片堆栈组，设置于所述多颗底芯片上，所述多颗底芯片之间具有间隙；塑封材料，覆盖于所述底芯片的内表面上，且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。本实用新型提供的技术方案通过先将晶圆切割为独立的底芯片晶圆边缘芯片，并在将晶圆边缘芯片拾取后再进行塑封，可以避免在进行塑封时损坏底芯片，相比较现有技术，提高了晶圆片級封裝结构的封裝质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 塑封结构 晶圆片 本实用新型 晶圆边缘 塑封材料 塑封 半导体生产技术 晶圆切割 芯片堆栈 芯片拾取 侧表面 内表面 覆盖 良率 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆片级塑封结构，其特征在于，包括：多颗底芯片；芯片堆栈组，设置于所述多颗底芯片上，所述多颗底芯片之间具有间隙；塑封材料，覆盖于所述底芯片的内表面上，且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。
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