[实用新型]一种深紫外发光二极管芯片

摘要

本实用新型提供了一种深紫外发光二极管芯片，包括多个子芯片，每个所述子芯片的大小相等，且所述子芯片间横向纵向间隔距离相同，每一所述子芯片形貌为圆形，直径为20‑100um，每个所述子芯片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，所述多个子芯片呈矩阵方式分布在芯片的N型氮化镓铝层上，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从P型氮化镓铝层延伸至所述N型氮化镓铝层，每颗芯片最外侧凹槽内设有将外延片分割成多个芯片的隔离槽，所述隔离槽从N型氮化镓铝层延伸至氮化铝缓冲层；该实用新型结温分布均匀，且通过大占比的金属面积有效的提高了电流扩展和热导出能力。

主权项

1.一种深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述深紫外发光二极管芯片包括多个子芯片，每个所述子芯片的大小相等，且所述子芯片间横向纵向间隔距离相同，每一所述子芯片形貌为圆形，直径为20‑100um，每个所述子芯片包括衬底，以及外延片，所述外延片包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓铝层、多量子阱有源层和P型氮化镓铝层，所述多个子芯片呈矩阵方式分布在芯片的N型氮化镓铝层上；所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从P型氮化镓铝层延伸至所述N型氮化镓铝层，所述芯片最外侧的凹槽内设有将外延片分割成多个子芯片的隔离槽，所述隔离槽从N型氮化镓铝层延伸至氮化铝缓冲层；所述P型氮化镓铝层上蒸镀有一次P电极，所述凹槽处的N型氮化镓铝层上蒸镀有一次N电极，所述隔离槽、一次P电极、一次N电极、凹槽的侧壁上均设有一次绝缘层，所述一次绝缘层在所述一次P电极上设有一次P电极开孔，所述一次绝缘层在所述一次N电极上设有一次N电极开孔，所述一次P电极开孔上设有二次P电极，所述一次N电极开孔上设有二次N电极，所述二次P电极与一次P电极联通，所述二次N电极与一次N电极联通；所述一次绝缘层、二次P电极、二次N电极上均设有二次绝缘层，所述二次绝缘层在所述二次P电极上设有二次P电极开孔，所述二次绝缘层在所述二次N电极上设有二次N电极开孔，所述二次P电极开孔上设有三次P电极焊盘，所述二次N电极开孔上设有三次N电极焊盘，所述三次P电极焊盘与二次P电极联通，所述三次N电极焊盘与二次N电极联通。