[实用新型]一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路有效

专利信息
申请号: 201822042870.1 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN209149304U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘;黄寅峰;贾文慧;李佳鑫 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 涂秀清
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路,包括运算放大器O1,运算放大器O1的负输入端连接有电阻R0,电阻R0的的另一端接地,运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连,运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接,运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接,运算放大器O2的正输入端接地,运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接,乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接,乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源,所述乘法器M2的输出端连接有反相器,提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。
搜索关键词: 运算放大器 乘法器 输出端 三次非线性 负输入端 电路 电容 分数阶 磁控 电阻 放大器 输入端连接 正输入端 接地 与运算 本实用新型 输出端连接 输出端相连 正弦电压源 数值仿真 反相器 输入端 忆阻器
【主权项】:
1.一种含有分数阶电容的三次非线性磁控忆阻电路,其特征在于,包括运算放大器O1,运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接外加正弦电压源,所述电阻R0的另一端接地,所述运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连,所述运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接,所述运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接,所述运算放大器O2的正输入端接地,所述运算放大器O2的输出端与乘法器M1的正负两个输入端分别连接,所述乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接,所述乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源,所述乘法器M2的输出端连接有反相器,所述分数阶电容Cq包括一个电阻Rin,所述电阻Rin串联多个RC等效电路。
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