[实用新型]沉积系统有效
申请号: | 201822053070.X | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN209428602U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 卢彦勋;陈彦良;大藤彻;谢明达 | 申请(专利权)人: | 捷苙科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/30 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 董科 |
地址: | 中国台湾苗粟*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种沉积系统:包括沉积设备、控制中心、以及设置在沉积设备内的外延成长监控设备、翘曲变化监控设备与温度监控设备。沉积设备用于对晶圆进行外延成长以生成外延层;温度监控设备用于侦测沉积设备内的温度,以生成温度信息;翘曲变化监控设备用于侦测晶圆的翘曲度,以生成翘曲度信息;外延成长监控设备用于侦测外延成长工艺的情形,以生成外延成长信息;控制中心,与沉积设备、温度监控设备、翘曲变化监控设备与外延成长监控设备电性连接,接收并处理外延成长信息、翘曲度信息及温度信息。 | ||
搜索关键词: | 沉积设备 温度监控设备 变化监控 监控设备 翘曲度 翘曲 侦测 沉积系统 成长信息 控制中心 温度信息 晶圆 外延成长工艺 本实用新型 电性连接 外延层 | ||
【主权项】:
1.一种沉积系统,其特征在于,包括沉积设备,用于对晶圆进行外延成长工艺以形成外延层;温度监控设备,用于侦测所述沉积设备内的温度,以生成温度信息;翘曲变化监控设备,用于侦测所述晶圆的翘曲度,以生成翘曲度信息;外延成长监控设备,用于侦测所述外延成长工艺的情形,以生成外延成长信息;以及控制中心,与所述沉积设备、所述温度监控设备、所述翘曲变化监控设备与所述外延成长监控设备电性连接,接收并处理所述外延成长信息、所述翘曲度信息及所述温度信息;其中,所述温度监控设备、所述翘曲变化监控设备及外延成长监控设备是设置在所述沉积设备内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷苙科技股份有限公司,未经捷苙科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822053070.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备
- 下一篇:一种滚镀用复合型陪镀品
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的