[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201822089577.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN209282203U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吕寅根 | 申请（专利权）人： | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种背照式图像传感器，包括置于衬底中的电荷积累区域，设置在衬底的前侧表面上的绝缘层，设置在绝缘层上对应于电荷积累区域的光反射图案，设置在衬底的背侧表面上的抗反射层，设置在抗反射层上并具有对应于电荷积累区域的开口的光阻图案，设置在光阻图案上的滤色层，以及设置在滤色层上的微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷积累区域 衬底 绝缘层 背照式图像传感器 光阻图案 抗反射层 滤色层 光反射图案 微透镜阵列 背侧表面 前侧表面 开口 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，包括：置于衬底中的电荷积累区域；设置在所述衬底的前侧表面上的绝缘层；设置在所述绝缘层上对应于所述电荷积累区域的光反射图案；设置在所述衬底的背侧表面上的抗反射层；设置在所述抗反射层上并具有对应于所述电荷积累区域的开口的光阻图案；设置在所述光阻图案上的滤色层；以及设置在所述滤色层上的微透镜阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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